聚焦离子束显微镜(FIB)的利用液相镓金属的离子源，照射于样品表面以取得影像或去除物质。此种功能与FESEM (场放射性扫描电子显微镜)相似，但FIB利用镓离子撞击样品表面,搭配有机气体有效的选择性蚀刻与沉积导体或非导体。其主要应用于IC线路修改(circuit edit)、局部橫切面 (cross-section), 晶粒相差特性分析等.利用聚焦离子束显微镜(FIB)來作集成电路(IC)电路修正是具有最大经理效益的应用。在不需重开光罩的前提下，FIB可节省IC设计原型(prototype) 验证的时间，增快上市时间(Time-to-market)，对于IC设计者有十分大的助益。FIB可在微米甚至奈米尺度上做选择性蚀刻与沉积导体或非导体，提供IC设计者直接修改线路的机会，以达成布局验证的目的，节省开发时间与修改经费。
商盟
1 mins ago